賽米控丹佛斯IGBT模塊實現大性能
賽米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級別為600V至1800V。它們可用于各種應用，并采用多項關鍵技術，如燒結以及實現快捷裝配的彈簧或press-fit連接。提供不同的拓撲結構，提供不同的拓撲結構，如CIB（整流-逆變-制動）、半橋、H橋、三相全橋和三電平等，涵蓋幾乎所有應用領域。結合新的IGBT芯片和CAL二極管技術。*新代IGBT7已正式應用于賽米控丹佛斯功率模塊，其帶來更高功率密度并確立了新的性能評價基準，特別是在電機驅動和太陽能應用中。
賽米控丹佛斯提供全碳化硅模塊，采用SEMITOP和SEMITRANS封裝。由于采用**供應商提供的SiC MOSFET，可實現高開關頻率、小損耗和高效率。同時也提供了優異的功率密度。
開關頻率的提高意味著無源濾波元件使用的大幅減少。同時，功率損耗也降低了，從而使散熱器更小，總體上減少了冷卻需求。這兩個優勢都會使整個系統成本大大降低。
全碳化硅功率模塊涵蓋20A至540A電流范圍（1200V電壓和1700V），提供帶或不帶反并聯肖特基續流二極管的型號。其標準配置有三相全橋拓撲、半橋拓撲和帶有旁路二極管的boost拓撲。
除了SiC MOSFET模塊組合，賽米控丹佛斯還提供SEMIPACK和SEMITOP封裝的單SiC肖特基二極管，以確保低損耗整流應用。
賽米控丹佛斯系統優勢：
? 支持緊湊、輕量級的系統
? 由于低開關量，提高了系統效率
和 SiC 的傳導損耗
? 降低熱需求和系統成本
賽米控丹佛斯技術特點：
? 超低損耗、高頻操作
? MOSFET 的零關斷尾電流
? 常關、故障**設備操作
? 反并聯肖特基二極管
? 與溫度無關的開關行為
賽米控丹佛斯混合碳化硅功率模塊型號：
IGBT和碳化硅肖特基二極管混合功率模塊
SK20KDD12SCpSEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
SK35MLLE120SCpSEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
SKM260MB170SCH17SEMITRANS 3 (106x62x31)
