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三菱電機攜六款新品**謝幕PCIM亞洲展2014
日期：2025-07-13 11:21
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摘要：
三菱電機今年以“**功率器件構建可持續未來”為題，攜帶六款全新產品**謝幕6月17-19日在上海世博展覽館舉辦的PCIM亞洲展2014。
本次三菱電機展出的產品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。
在新產品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊獲得了觀眾的廣泛關注。它適合應用在工業驅動和太陽能發電上，并采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門...
三菱電機今年以“**功率器件構建可持續未來”為題，攜帶六款全新產品**謝幕6月17-19日在上海世博展覽館舉辦的PCIM亞洲展2014。
本次三菱電機展出的產品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。
在新產品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊獲得了觀眾的廣泛關注。它適合應用在工業驅動和太陽能發電上，并采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流75A至2500A；繼承傳統的三種封裝，適應不同的結構設計需求；采用預涂熱界面材料，降低模塊與散熱器的接觸熱阻等特點。
在**變頻器和伺服驅動器應用方面，本次展會中推出的G系列IPM(智能功率模塊)，采用了第7代CSTBTTM硅片，能進一步降低損耗；并采用了更適合伺服驅動應用的窄長形封裝；其兼容控制管腳和現有L1系列相同。
對于鐵路牽引和直流輸電應用，展出了新推出的X系列HVIGBT。其采用了*新一代HVIGBT，能進一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的電流等級；并應用第7代IGBT和RFC Diode硅片技術，可以實現更低飽和壓降和開關損耗；是采用針對電力傳輸應用的6500V/1000A單管HVIGBT。
在電動汽車應用上，展出的是*新J1系列EV T-PM模塊，它是采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊。并應用了低損耗的第7代IGBT硅片技術。與傳統結構相比，它能將熱阻降低40%，安裝面積減小40%。非常適合體積緊湊的電動車。
另外，針對太陽能發電，本次展會上還展出了三電平逆變器用IGBT模塊。它的特色是低損耗、低電感、高絕緣和易并聯，能完全滿足正在發展的太陽能發電市場的需要。
在碳化硅器件應用方面，今年繼續展出了四款產品，其中包括用于變頻空調的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驅動器的混合碳化硅IPM、用于新能源發電的全碳化硅MOSFET模塊、以及用于鐵路牽引的混合碳化硅HVIGBT。
與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有關斷拖尾電流極小、開關速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開發電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積；提升變流器效率；提高開關頻率，縮小濾波器體積；確保高溫環境下運行的可靠性；還易于實現高電壓大功率的設計。碳化硅功率器件可廣泛用于節能、高頻和高溫三大電力電子系統。
為了方便客戶采用新型功率模塊開發變流器產品，三菱電機本次更展出了多種一體化應用解決方案，它包括基于新MPD的風電用MPDStacK；基于新MPD的500kW光伏逆變器功率組件；基于工業用小型DIPIPMTM的伺服驅動器解決方案；基于第6代DIPIPMTM 的通用變頻器解決方案；基于第6代DIPIPMTM的變頻空調壓縮機驅動解決方案；基于MOS DIPIPMTM 的變頻冰箱壓縮機驅動解決方案；及J1系列EV T-PM測試套件。
作為全球頭個掌握功率半導體硅片技術和封裝技術的公司，三菱電機會繼續積**力于基于新材料的開發和應用，努力為電力電子業界奉獻高性能和高可靠性的功率半導體模塊！
