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富士igbt功率模塊的用途特征

日期:2025-07-14 11:02
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摘要:
   IGBT是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。富士igbt功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊。
  igbt功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路,以及快速保護電路構(gòu)成。
  絕緣柵雙極晶體管其基本包裝為三個端點的功率級半導(dǎo)體元件,其特點為高效率及切換速度快,為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。
  IGBT結(jié)合了場效晶體管柵極易驅(qū)動的特性與雙極性晶體管耐高電流與低導(dǎo)通電壓壓降特性,IGBT通常用于中高容量功率場合,如切換式電源供應(yīng)器、馬達(dá)控制與電磁爐。大型的IGBT模組應(yīng)用于數(shù)百安培與六千伏特的電力系統(tǒng)領(lǐng)域,其模組內(nèi)部包含數(shù)個單一IGBT元件與保護電路。


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